[VIP第1年] 指数:3
公共栅极单元与一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；接地区域设置于一发射极单元内的任意位置处；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。本发明实施例提供的半导体功率模块，与上述实施例提供的一种igbt芯片具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的半导体功率模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的igbt芯片对应过程，在此不再赘述。另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在本发明的描述中，需要说明的是。
由于铅会破坏人类神经系统以及妨碍胎儿发育，故目前世界各国正努力寻找无铅接合材料。然而，无铅焊锡主要成份为锡银铜合金，该合金在高温环境下易形成介金属化合物(cu6sn5与cu3sn)，一旦此介金属化合物形成后，接点在高温下(＞150℃)的机械强度则降为原来的三分之一，且在长时间的热循环下容易形成孔洞，使得接合强度更为脆弱。再者，当孔洞形成后，增加高功率模块内部散热鳍片与功率集成电路(integratedcircuit,ic)组件的接口热阻，导致散热不易，终使得高功率模块热失效。故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。技术实现要素：本发明的主要目的在于，克服已知技术所遭遇的上述问题，并提供一种使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)的产生，且在高温下(＜800℃)相当稳定，不会产生任何介金属化合物，从而不会有因制程(环境)温度而脆化的问题的高功率模块的制备方法。本发明的次要目的在于，提供一种使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，将可取代锡银铜合金及铅锡与银铅锡合金。
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